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O2-Enhanced Surface Treatment of Ge Epitaxially Grown on Si for Heterogeneous Ge Technology
- 제목
- O2-Enhanced Surface Treatment of Ge Epitaxially Grown on Si for Heterogeneous Ge Technology
- 저자
- 조성재
- 발행일
- 2014-06-24
- 학회명
- 2014 The 18th IEEE International Symposium on Consumer Electronics (ISCE)
- 개최지
- Jeju, Republic of Korea
- 개최국가
- 미국
- 학회 개최일
- 2014-06-22 ~ 2014-06-25