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2인치 n-InP 결정의 광학적 등방성 특성 분석
Optical isotropic properties of 2 inch n-InP single crystals
- 석주선;
- 임학준;
- 박종락;
- 이준호;
- 주형규
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본 연구에서는 수직 브리지먼(Vertical Bridgman) 방법으로 성장시킨 n형 InP 단결정 기판의 광학적 등방성을 조 사하였다. 1,060 nm 파장의 원편광의 빛을 기판 표면에 입사시키고, 통과한 빛의 편광 상태를 분석하여 복굴절 (birefringence)에 의해 유도되는 편광 변화를 측정하였으며, 편광 변화는 기판의 에치 피트 밀도(etch pit density)와 어느 정 도의 상관관계를 보였다. 또한, 광소자 제작에 많이 사용되는 InP 기판의 중요한 성질 중 하나인 기판의 광학적 균일성을 조사하기 위하여 기판 상의 빛의 입사 위치에 따른 광학적 균일성을 분석하였다. 본 연구에서 제시한 광학적 분석법은 결 정학적 대칭성을 갖는 다른 종류의 단결정 기판의 광학적 균일성 측정에 응용될 수 있으며 전위밀도의 간접적인 측정에 응용될 수 있을 것이다.
키워드
InP; n-doping; 2-Inch wafer; Single crystal defect; Dislocation; Optical isotropy; Polarization change; ZincBlende structure; VB growth method
- 제목
- 2인치 n-InP 결정의 광학적 등방성 특성 분석
- 제목 (타언어)
- Optical isotropic properties of 2 inch n-InP single crystals
- 저자
- 석주선; 임학준; 박종락; 이준호; 주형규
- 발행일
- 2025-12
- 유형
- Article
- 저널명
- 한국결정성장학회지
- 권
- 35
- 호
- 4
- 페이지
- 160 ~ 164