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접지된 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자에 대해 FGMM을 적용한 TE 산란 해
Solution of TE Scattering Applying FGMM for Resistive Strip Grating Between a Grounded Double Dielectric Layer
초록
본 논문에서는 접지된 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 FGMM(fourier galerkin moment method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였으며, 저항띠의 해석을 위해저항 경계조건을 적용하였다. 전반적으로 저항율이 작으면 저항띠에 유도되는 전류밀도의 크기가 증가하였고, 반사전력도 증가하였다. 균일 저항율을 가지는 경우, 유전체층의 비유전율이 증가하거나 또는 유전체 층의 두께가 증가할수록반사전력은 감소하였다. 본 논문에서 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 결과들과 비교하여 매우잘 일치하였다.
키워드
TE; TM scattering; Resistive boundary condition; Grounded Double dielectric layer; PMM; FGMM.
- 제목
- 접지된 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자에 대해 FGMM을 적용한 TE 산란 해
- 제목 (타언어)
- Solution of TE Scattering Applying FGMM for Resistive Strip Grating Between a Grounded Double Dielectric Layer
- 저자
- 윤의중
- 발행일
- 2023-06
- 저널명
- 한국인터넷방송통신학회 논문지
- 권
- 23
- 호
- 3
- 페이지
- 71 ~ 76